Zertifizierung: | Original Parts |
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Modellnummer: | TC58NVG0S3HBAI4 |
Min Bestellmenge: | 1-teilig |
Preis: | Negotiation |
Verpackung Informationen: | 10cm x 10cm x 5cm |
Lieferzeit: | 3-5 Arbeitstage |
Zahlungsbedingungen: | T/T, Paypal, Western Union, Übertragungsurkunde und andere |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 500-2000pcs pro Monat |
Einzelteil Numbe: | TC58NVG0S3HBAI4 | Denisty: | 1Gb (128M x 8) |
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Produkt-Kategorie: | Gedächtnis u. Flash-Speicher | Gedächtnisschnittstelle: | Ähnlichkeit |
Volt.: | 2,7 V | 3,6 V | Technology: | BLITZ - NAND (TLC) |
Temp.: | -40°C | 85°C (TA) | Verpackung: | BGA63 |
Markieren: | Chip des Flash-Speichers IC,Flash-Speicher-Prüferchip |
Flash-Speicher-Chip TC58NVG0S3HBAI4 IC ÄHNLICHKEIT 63TFBGA BLITZ-1G
Kategorien | Integrierte Schaltungen (ICs) | |
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Gedächtnis | ||
Hersteller | Toshiba Memory Amerika, Inc. | |
Reihe | - | |
Verpacken | Behälter | |
Teil-Status | Aktiv | |
Gedächtnis-Art | Permanent | |
Gedächtnis-Format | BLITZ | |
Technologie | BLITZ - NAND (SLC) | |
Speicherkapazität | 1Gb (128M x 8) | |
Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 25ns | |
Zugriffzeit | 25ns | |
Gedächtnis-Schnittstelle | Ähnlichkeit | |
Spannung - Versorgung | 2,7 V | 3,6 V | |
Betriebstemperatur | -40°C | 85°C (TA) | |
Montage-Art | Oberflächenberg | |
Paket/Fall | 63-VFBGA | |
Lieferanten-Gerät-Paket | 63-TFBGA (9x11) |
Eigenschaft: